Download Bänderstruktur und Stromtransport by Prof. Dr. rer. nat. Dr. Ing. h. c. Walter Heywang, PDF

By Prof. Dr. rer. nat. Dr. Ing. h. c. Walter Heywang, Dipl.-lng., Dr. phil. Hans Wolfgang Pötzl (auth.)

Aus den Besprechungen: "Die Qualität dieses Werkes läßt es ... notwendig erscheinen, einiges mehr zu ihm zu sagen. Seine Stärke besteht nämlich darin, daß die Grundlagen immer von unterschiedlichen Gesichtspunkten aus behandelt werden. So wird das Bändermodell von den Eigenfunktionen wechselwirkender Atome, aus der Schrödinger-Gleichung und über die Pseudopotentialmethode anschaulich eingeführt. Bedeutsam ist, daß dies auf unterschiedlichem Niveau erfolgt. Dadurch werden die gegenseitige Bedingtheit und die Besonderheiten der Methoden noch deutlicher. Insgesamt werden auf diese Weise vier Kapitel behandelt: Bändermodell, gestörtes Gitter, Rekombination von Ladungsträger und Stromtransport. Ein umfangreiches Literaturverzeichnis und ein gutes Sachwortverzeichnis ergänzen das Werk. Allen denen, die tiefer in diese Problematik eindringen wollen, kann es nur empfohlen werden." #Elektronische Informationstechnik und Kybernetik#

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10/6b) xx die Druckkoeffizienten fUr die Lage des lI-Minimums bezogen auf die Valenzbandkante bei Iongitudinalem bzw. transversalem Druck. 10/7) ) B • Da die Gesamtzahl n = 2n + 4n der Elektronen im Leitungsband x y,z durch den Druck nicht verandert wird, erhalt man hieraus _!! 10/8) n 1 liE x - liE y, z )] ny, z = 6" [ 1 + '3 ( kB T • Damit ergibt sich unter Verwendung von GI. 1 t bekannt sind, die relative Verschiebung der Bandkanten unter i=itiBerem Druck zu bestimmen. Erwi=ihnt sei, daB (Ei - E bei t) Silizium negativ ist, d.

Rechnungen hierzu wurden ebenfalls von Walter und Cohen durchgefUhrt (Kapitel 6 in [1. 6]). Die errechnete Verteilung fUr das r 2 I -Minimum in Germanium ist in Abb. 8/3 wiedergegeben. h. 8/2) (s1 2-Atomfunktionen der benachbarten Atome 1 bzw. 2) zu tun. Die~e Form von u ist konsistent mit Abb. 1. 1/3, nach der der untere Rand des Leitungsbandes aus einer nicht bindenden s-Funktion aufge- , baut ist. Entsprechend ergibt sich fUr das heher gelegene Minimum r 15 eine Symmetrie entsprechend einem Zustand 1 Diese Knotenebene findet sich ebenso bei Welle 2 der Abb.

16J). Bei den binaren Halbleitern mit hoherem Bandabstand ist das r -Minimum generell nicht mehr das tiefste. Wie auch derartige Halbleiter, z. B. GaP, zur Lichterzeugung herangezogen werden konnen, solI in Abschn. 2 besprochen werden. Auch Germanium und Silizium gehoren zu den indirekten Halbleitern mit verbotenem optischen Ubergang zwischen den Bandkanten. Das Ausfallen dieses raschen Rekombinationsmechanismus ist, wie bereits hier erwahnt sei, entscheidend fiir die erreichten langen Tragerlebensdauern (z.

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